[发明专利]选择性氧化层的制备方法、选择性氧化层和集成电路在审
| 申请号： | 201510274662.2 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298628A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性氧化层的制备方法、选择性氧化层和集成电路，其中，选择性氧化层的制备方法包括：在依次形成第一氧化层和图形化的第一氮化层的硅衬底上，形成第一场氧化层；以所述第一氮化层为掩膜，对所述第一氧化层进行刻蚀至暴露所述硅衬底为止，以及保留所述第一氮化层和所述硅衬底之间的第一氧化层；在完成刻蚀的硅衬底上形成第二氧化层，以及在所述第一氮化层上形成图形化的第二氮化层；在形成所述第二氮化层的硅衬底上形成第二场氧化层；去除所述第一氮化层和所述第二氮化层，以完成所述选择性氧化层的制备。通过本发明的技术方案，增强了场氧化层的厚度和深度，同时，有效地降低了工艺偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 氧化 制备 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种选择性氧化层的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成第一氧化层和图形化的第一氮化层的硅衬底上，形成第一场氧化层；以所述第一氮化层为掩膜，对所述第一氧化层进行刻蚀至暴露所述硅衬底为止，以及保留所述第一氮化层和所述硅衬底之间的第一氧化层；在完成刻蚀的硅衬底上形成第二氧化层，以及在所述第一氮化层上形成图形化的第二氮化层；在形成所述第二氮化层的硅衬底上形成第二场氧化层；去除所述第一氮化层和所述第二氮化层，以完成所述选择性氧化层的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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