[发明专利]一种场效应管沟道型场致发射阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201510274946.1 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104992891A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘卫华;王小力;曹桂铭;李昕;曹猛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312;H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于二维材料的场效应管沟道型场致发射阴极及其制备方法。该由背栅与源漏电压调制的沟道型场致发射纳米阴极是指利用外加偏置电压改变作为导电沟道的二维材料中的电子供给函数，进而调节场致发射电流密度，实现一种由电场调制的场发射冷阴极。为提高二维纳米材料场致发射电流的稳定性提出了一条新的解决方案，并为高频可调控的场发射阴极提供一条新的实现途径，从而推动具有低发射阈值电压的二维材料纳米冷阴极在真空微电子领域的实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 沟道 型场致 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应管沟道型场致发射阴极，其特征在于，包括衬底(5)上刻蚀出的一维纳米棱刃(1)，在衬底(5)和一维纳米棱刃(1)上设置有绝缘介质层(2)，在绝缘介质层(2)上设置有二维材料(3)，在二维材料(3)的两端设置金属源漏电极(4)。
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