[发明专利]一种大面积均匀各向异性磁芯膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510275744.9 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104851550A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 白飞明;王艺程;王骆;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01F41/18 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大面积均匀各向异性磁芯膜及其制备方法，涉及高频电磁器件、磁传感器件中磁性薄膜的制备领域。所述磁芯膜包括交替溅射的多层薄膜，每一层薄膜为楔形结构，相邻两层薄膜形成的薄膜结构其厚度是均匀的。主要采用倾斜基片以及交替180度旋转基片架的方式实现磁芯膜的制备。本发明将基片倾斜，使得基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜的柱状结构，引入了具有较好温度稳定性的单轴各向异性；溅射时间t后，将基片架旋转180度，保证各向异性场的方向在同一方向而不会随着旋转的改变而改变；采用溅射相同时间t后将基片架旋转180度的方式，使得制备的磁芯膜的平均厚度相差不大，得到的薄膜厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 均匀 各向异性 磁芯膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积均匀各向异性磁芯膜，其特征在于，所述磁芯膜包括交替溅射的多层薄膜，每一层薄膜为楔形结构，相邻两层薄膜形成的薄膜结构厚度均匀。
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