[发明专利]γ相被抑制的高温双相Ni‑Mn‑Ga‑Gd合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201510275908.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104962780B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C1/02 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种γ相被抑制的高温双相Ni‑Mn‑Ga‑Gd合金及其制备方法。该合金的结构通式为Ni58Mn25Ga17‑XGdX，通式中x＝0.1～0.5，通过取料、电弧熔炼、清洗、保温、淬入水中得到的Ni58Mn25Ga17‑xGdx合金中γ相明显减少，比现有Ni58Mn25Ga17合金减少约80％～40％；其马氏体相变温度为387.5℃～461.4℃，温区范围宽，可以满足不同领域的需求；本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金材料韧性好、强度大、加工性能良好，可根据需要加工成各种形状使用，制备工艺简单，易于工业化生产，为高温高塑性形状记忆合金的应用拓展了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 高温 ni mn ga gd 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种γ相被抑制的高温双相Ni‑Mn‑Ga‑Gd合金，其特征在于，所述Ni‑Mn‑Ga‑Gd合金的结构通式为Ni58Mn25Ga17‑XGdX，通式中x＝0.2～0.5；Ni‑Mn‑Ga‑Gd合金的制备方法：(1)将纯度99.9％的Mn、Gd、Ga、Ni原料依次按照由下至上的顺序放置于真空非自耗电极电弧炉中；(2)将电弧炉内抽真空至5×10‑3Pa，再充入惰气至炉内真空度为2×10‑2Pa，在2000～3000℃、熔炼电流80～100A下熔炼18～20min，制成纽扣状试样，待其冷却取出；(3)试样经机械抛光去除表面杂质，采用线切割方法获得要求形状；(4)用丙酮清洗后封入真空度为10‑1Pa的石英管中，在800～850℃的条件下保温24h，再淬入水中，即得Ni‑Mn‑Ga‑Gd高温双相记忆合金。
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