[发明专利]一种漏区嵌入反型层的半浮栅器件及制造方法

摘要

本发明提出一种漏区嵌入反型层的半浮栅器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底有源区的平面沟道区和分别位于其两边的源区和漏区，漏区表面含浮栅开口的第一绝缘层，覆盖浮栅开口及第一绝缘层的浮栅，浮栅开口下方的漏区内有扩散区，第二绝缘层覆盖整个浮栅，部分源区和漏区表面以及整个平面沟道区，控制栅位于第二绝缘层上方，还有金属连线实现器件栅极、源极、漏极和衬底的引出，其特征在于，在漏区内位于控制栅下方嵌入隧穿晶体管沟道区与重掺杂漏区之间的漏区嵌入反型层。本发明通过增加嵌入反型层来优化嵌入隧穿晶格管沟道与漏区之间掺杂浓度梯度分布，提高带间隧穿的发生率，提高半浮栅器件的读写速度，减少器件漏电。

主权项

1.一种漏区嵌入反型层的半浮栅器件，包括：半导体衬底，位于半导体衬底的有源区和场氧区，有源区内有平面沟道区和分别位于其两边的源区和漏区，漏区表面有内含浮栅开口的第一绝缘层，浮栅位于漏区上方，覆盖浮栅开口及第一绝缘层，浮栅开口下方的漏区内有扩散区，第二绝缘层覆盖整个浮栅，整个平面沟道区以及部分源区和漏区表面，控制栅位于第二绝缘层上方，控制栅两侧覆盖侧墙，重掺杂源区和重掺杂漏区分别位于侧墙外围的源区和漏区内，重掺杂漏区与浮栅开口下方的扩散区之间形成嵌入隧穿晶体管沟道区，还包括与控制栅、重掺杂源区、重掺杂漏区和衬底底部的接触孔相连，共同构成器件栅极、源极、漏极和衬底引出的金属连线，其特征在于，漏区内隧穿晶体管沟道区与重掺杂漏区之间通过斜角注入工艺嵌入反型层，其中，注入角度为10～45度。