[发明专利]多晶硅生产工艺有效
| 申请号： | 201510276738.5 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106276912B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;赵亮 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供多晶硅生产工艺，将精三氯氢硅和氢气按比例混合作为原料依次通过鼓泡汽化器、出入气换热器和CVD还原炉主炉；然后将精三氯氢硅和二氯二氢硅按比例混合作为辅料通过氯硅烷汽化器生产辅料气体；经过鼓泡汽化器生成的原料气体在CVD还原炉主炉内生成多晶硅，其副产物为中间尾气与辅料气体在静态混合器中混合后通入CVD还原炉辅炉；中间尾气与辅料气体在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气与原料气体在出入气换热器内换热后再通入还原尾气回收系统，本发明可以提高多晶硅的生成率和沉积速率，也可以降低终极尾气的物料总量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.多晶硅生产工艺，包括将精三氯氢硅和氢气按比例混合作为原料通入CVD还原炉主炉，其特征在于：首先原料依次通过鼓泡汽化器、出入气换热器和CVD还原炉主炉；然后将精三氯氢硅和二氯二氢硅按比例混合作为辅料通过氯硅烷汽化器生产辅料气体；经过鼓泡汽化器生成的原料气体在CVD还原炉主炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为中间尾气；中间尾气与经过氯硅烷汽化器生成的辅料气体在静态混合器中混合后，再通入CVD还原炉辅炉；中间尾气与辅料气体在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气；终极尾气与通入CVD还原炉主炉的原料气体在出入气换热器内换热后再通入还原尾气回收系统；所述鼓泡汽化器连接有第一储罐，第一储罐装有精三氯氢硅；所述氯硅烷汽化器连接有第二储罐，第二储罐装有精三氯氢硅和二氯二氢硅，所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在25‑0:1；所述第一储罐与第二储罐分开设置。
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