[发明专利]一种控制静电吸盘吸力的方法有效
| 申请号： | 201510277990.8 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104992920B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 胡彬彬;韩晓刚;孔祥涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制静电吸盘吸力的方法，首先晶圆工艺前，对晶圆设定初始吸力N0；其中，在初始吸力N0的作用下，晶圆刚好被静电吸盘吸附；然后工艺过程中，对晶圆弯曲度的变化程度拟合成工艺时间的函数f(t)；接着根据晶圆材料的弹性模量计算出克服晶圆形变所需要的静电吸力g(t)；最后计算出工艺过程中静电吸力变化函数N(t)＝N0+g(t)，以使晶圆在工艺过程中保持刚好被静电吸盘吸附。本发明可以合理控制在工艺过程中静电吸盘的静电吸力，防止静电吸力过小而导致跳片现象，同时防止静电吸力过大导致晶圆和静电吸盘之间的摩擦力过大，保证晶圆产品质量，延长静电吸盘寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 静电 吸盘 吸力 方法 | ||
【主权项】：
一种控制静电吸盘吸力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、晶圆工艺前，对晶圆设定初始吸力N0；其中，在初始吸力N0的作用下，晶圆刚好被静电吸盘吸附，其中，晶圆和静电吸盘完全接触；步骤S02、晶圆工艺过程中，对晶圆弯曲度的变化程度拟合成工艺时间的函数f(t)；步骤S03、根据晶圆材料的弹性模量计算出克服晶圆形变所需要的静电吸力g(t)，其中，所述g(t)为静电吸力随工艺时间变化的函数，所述晶圆形变为远离静电吸盘方向的凸出形变；步骤S04、计算出工艺过程中静电吸力变化函数N(t)＝N0+g(t)，以使晶圆在工艺过程中保持刚好被静电吸盘吸附。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
