[发明专利]一种多层复合结构声表面波器件基底在审
申请号: | 201510278769.4 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104868873A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 韩韬;张巧珍;陈景 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/25;H03H9/02 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 翁惠瑜 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种多层复合结构声表面波器件基底,所述基底包括衬底、用于声表面波器件的电极、氧化物薄膜和压电薄膜,所述衬底、用于声表面波器件的电极和压电薄膜由下至上依次叠加设置,所述用于声表面波器件的电极包括多个间隔设置的金属电极,所述氧化物薄膜填充在相邻金属电极间的沟槽中;所述压电薄膜淀积在平坦的氧化物薄膜顶层表面或电极和填充氧化物薄膜交替间隔组成的平坦表面。与现有技术相比,本发明结构解决了具有埋入式电极的压电薄膜裂纹问题,容易制备并且具有高频、高机电耦合系数以及较好的温度补偿等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 复合 结构 表面波 器件 基底 | ||
【主权项】:
一种多层复合结构声表面波器件基底,其特征在于,包括衬底、用于声表面波器件的电极、氧化物薄膜和压电薄膜,所述衬底、用于声表面波器件的电极和压电薄膜由下至上依次叠加设置,所述用于声表面波器件的电极包括多个间隔设置的金属电极,所述氧化物薄膜填充在相邻金属电极间的沟槽中,所述压电薄膜淀积在平坦的氧化物薄膜顶层表面或电极和填充氧化物薄膜交替间隔组成的平坦表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510278769.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种调速调温电路
- 下一篇:基于GaNHEMT工艺的单片集成有源准环形器