[发明专利]集成化电容式微加工超声换能器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510278817.X | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105036058A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣;姚若河;耿魁伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B06B1/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成化电容式微加工超声换能器的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上制备缓冲过渡层；制备薄膜晶体管的源、漏电极；制备薄膜晶体管的半导体有源层；制备薄膜晶体管的栅介质层；制备薄膜晶体管的栅电极；制备第一氮化硅薄膜，对第一氮化硅薄膜进行刻蚀，形成凹槽；在高掺杂硅基片上沉积第二氮化硅薄膜；将第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜通过晶片键合技术粘接，在两层氮化硅薄膜之间形成微空腔；对高掺杂硅基片进行刻蚀剥离；制备电容式微加工超声换能器的上电极；制备超声波耦合层。本发明还公开了上述方法制备的集成化电容式微加工超声换能器。本发明可以提高电容式微加工超声换能器的灵敏度和微型化，降低加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成化 电容 式微 加工 超声 换能器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
集成化电容式微加工超声换能器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜，作为过渡层；(2)在二氧化硅薄膜上沉积第一金属薄膜层，对第一金属薄膜层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的源、漏电极；(3)在步骤(2)处理后的基底上沉积氧化锌基半导体薄膜层，对氧化锌基半导体薄膜层刻蚀，形成薄膜晶体管的半导体有源层；(4)在半导体薄膜层上沉积绝缘膜，形成薄膜晶体管的栅介质层；(5)在绝缘膜上制备第二金属膜层，刻蚀形成薄膜晶体管的栅电极；所述第二金属膜层同时也作为电容式微加工超声换能器的下电极；(6)在电容式微加工超声换能器的下电极上沉积第一氮化硅薄膜，对第一氮化硅薄膜进行刻蚀，形成凹槽；(7)在高掺杂硅基片上沉积第二氮化硅薄膜；(8)将第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜通过晶片键合技术粘接，在两层氮化硅薄膜之间形成微空腔；(9)对第二氮化硅薄膜上的高掺杂硅基片进行刻蚀剥离；(10)在第二氮化硅薄膜上沉积第三金属膜层，并对第三金属膜层进行刻蚀，形成电容式微加工超声换能器的上电极；(11)在电容式微加工超声换能器的上电极上制备环氧树脂膜，作为超声波耦合层。
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