[发明专利]退火氧化设备有效
申请号: | 201510278862.5 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104916740B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 张松;刘超;刘成法;徐大超;王鹏磊;季海晨;高云峰 | 申请(专利权)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 201615 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种退火氧化设备,该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口,另一端设有出料口,所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区,所述冷却区靠近所述出料口;进气装置位于炉体内部并与炉体连通,加热装置和冷却装置均位于炉体外部,控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体,经传送装置自进料口向出料口运动,硅片在炉体内的运动过程中,进气装置不断向炉体内输送氧气,控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度,从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化,减少了操作步骤,节约了生产时间。 | ||
搜索关键词: | 退火 氧化 设备 | ||
【主权项】:
一种退火氧化设备,其特征在于,包括:炉体,一端设有进料口,另一端设有出料口,所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区,所述加热区的数量为多个,所述冷却区靠近所述出料口;所述进料口处设有进料挡板,所述出料口处设有出料挡板,所述进料挡板和所述出料挡板均与所述炉体连接;传送装置,位于所述炉体内部,自所述进料口向所述出料口延伸;进气装置,位于所述炉体内部并与所述炉体连通;加热装置,位于所述炉体外部,用于升高所述加热区内的温度,所述加热装置的数量为多个,多个所述加热装置对称地设置在所述炉体外部;冷却装置,位于所述炉体外部,用于控制所述冷却区内的降温速度,所述冷却装置的数量为多个,多个所述冷却装置对称地设置在所述炉体外部;保温层,包覆所述炉体的外壁,并位于所述加热装置和所述冷却装置的外部;以及控制装置,分别与所述传送装置、所述加热装置、所述进气装置和所述冷却装置连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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