[发明专利]薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201510279452.2 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106298951B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 施博理;高逸群;李志隆;方国龙;林欣桦 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极及栅极绝缘层；于栅极绝缘层上覆盖导电层；于导电层上形成第一光阻层，并以一光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层；去除未被第一图案化光阻层覆盖的导电层以形成导电通道层；于导电通道层上依次形成半导体层及第二光阻层，并以上述光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层；去除未被第二图案化光阻层覆盖的半导体层以形成半导体通道层；形成源极及漏极。分别进行曝光制程以形成半导体通道层及导电通道层时，均采用同一光罩，因而无需针对不同的曝光制程制造不同的光罩，利于降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：/n提供一基板，并于该基板上形成栅极及栅极绝缘层；/n于该栅极绝缘层上覆盖一导电层；/n于该导电层上形成一第一光阻层，并以一光罩为正面曝光掩膜及以该栅极作为背面曝光掩膜对该第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层；/n蚀刻去除未被该第一图案化光阻层覆盖的所述导电层以形成导电通道层；/n于该导电通道层上形成半导体层及于该半导体层上形成第二光阻层，并以所述光罩为正面曝光掩膜及以该栅极作为背面曝光掩膜对该第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层；/n蚀刻去除未被该第二图案化光阻层覆盖的所述半导体层以形成覆盖该导电通道层的半导体通道层；/n于该半导体通道层两相对侧分别形成源极及漏极；/n该光罩包括一透光区与一不透光区，该光罩的不透光区的长度小于该栅极的长度，该光罩的不透光区的宽度大于该栅极的宽度。/n
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