[发明专利]一种抑制直流通路的负压电平转换电路

摘要

一种抑制直流通路的负压电平转换电路，包括五个P沟道金属氧化物半导体场效应管P6、P7、P8、P9、P10以及五个N沟道金属氧化物半导体场效应管N6、N7、N8、N9、N10，该电路首先将0V到数字电路电源电压转换为0V到模拟电路电源电压，再将0V到模拟电路电源电压转换为负电压电源电压Vneg到模拟电路电源电压，克服了Vneg不确定引起的电平转换电路各结点工作状态的不确定，并且当Vneg不确定时，抑制了由于PN结正向导通造成的数字电路电源到负电压电源间的直流电流通路，确保了电平转换电路的正常工作。

主权项

一种抑制直流通路的负压电平转换电路，其特征在于：包括与信号输入端(IN)相连的反相器，反相器由第六P沟道MOSFET(P6)与第六N沟道MOSFET(N6)组成，所述第六P沟道MOSFET(P6)与第六N沟道MOSFET(N6)的S极分别连接数字电路电源与地；反相器的输出端连接第七N沟道MOSFET(N7)的G极，第七N沟道MOSFET(N7)的D极连接第七P沟道MOSFET(P7)的D极，第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)组成第一正反馈对，第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)的S极连接模拟电路电源，第八P沟道MOSFET(P8)的D极连接第八N沟道MOSFET(N8)的D极，第八N沟道MOSFET(N8)的G、S极分别连接信号输入端(IN)与地；所述第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)的D极还分别连接第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的G极，第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的S极连接模拟电路电源，第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的D极分别连接第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)的D极，第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)组成第二正反馈对，第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)的S极连接负电压电源(Vneg)，负电压电源(Vneg)与模拟电路电源之间连接信号输出端(OUT)。