[发明专利]一种可提高亮度带3D层的LED外延结构在审
| 申请号： | 201510279606.8 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106299057A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;程腾;胥真奇;林政治;赖志豪;曾颀尧 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种可提高亮度带3D层的LED外延结构，涉及发光二极管的外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u‑GaN层、n‑AlGaN层、n‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层和金属接触层。其结构特点是，所述AlN缓冲层和u‑GaN层之间置有高温高压n掺杂的3D层。3D层生长过程中通入SiH4进行n掺杂。同现有技术相比，本发明能有效的降低位错密度，提高晶体质量，提升发光二级管亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 亮度 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种可提高亮度带3D层的LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、u‑GaN层（4）、n‑AlGaN层（5）、n‑GaN层（6）、多量子阱层（7）、电子阻挡层（8）、p‑GaN层（9）和金属接触层（10）；其特征在于：所述AlN缓冲层（2）和u‑GaN层（4）之间置有高温高压n掺杂的3D层（3），3D层（3）生长过程中通入SiH4进行n掺杂。
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