[发明专利]半导体发光元件和光学相干断层成像装置

摘要

本发明涉及半导体发光元件和光学相干断层成像装置。半导体发光元件包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱。第一量子阱和第二量子阱的阱层由In_xGa_1-xAs形成。第一量子阱的阱宽度Lw和阱层In含量In_x(Lw)以及第二量子阱的阱宽度Ln和阱层In含量In_x(Ln)满足下式(1)：0.0631(Ln/Lw)²-0.134(Ln/Lw)+0.0712<In_x(Ln)-In_x(Lw)<0.0068(Ln/Lw)²-0.1995(Ln/Lw)+0.192        (1)。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，包括具有多量子阱结构的有源层，所述多量子阱结构包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱，其中，第一量子阱具有比第二量子阱的阱宽度大的阱宽度并且由具有较宽的阱层带隙的材料形成，其中，第一量子阱和第二量子阱的阱层由In_xGa_1‑xAs形成，其中，0≤x<1，其中，当Lw代表第一量子阱的阱宽度、In_x(Lw)代表第一量子阱的阱层In含量、Ln代表第二量子阱的阱宽度、以及In_x(Ln)代表第二量子阱的阱层In含量时，Lw大于或等于6nm且小于或等于10nm，并且，Ln比Lw小0.1nm或更多，为Lw的1/2或更大，并且为4.5nm或更大，以及其中，满足下式(1)：0.0631(Ln/Lw)²‑0.134(Ln/Lw)+0.0712<In_x(Ln)‑In_x(Lw)<0.0068(Ln/Lw)²‑0.1995(Ln/Lw)+0.192   (1)。