[发明专利]单片集成电路贮存寿命特征检测方法

摘要

本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法，包括步骤对单片集成电路进行外观质量检查，并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品；对外检合格品进行电参数测量，并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品；对终检合格品进行可靠性特征分析，得到预测贮存寿命。通过对单片集成电路进行外观质量检查和电参数测量，选出功能未失效的合格品，并通过对合格品进行可靠性特征分析，得到集成电路的预测贮存寿命，从而可以估测导弹的贮存寿命，解决了对单片集成电路的贮存寿命特征的检测的问题。

主权项

一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法，其特征在于，包括如下步骤：对单片集成电路进行外观质量检查，并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品；对所述外检合格品进行电参数测量，并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品；对所述终检合格品进行可靠性特征分析，得到预测贮存寿命；其中，所述对所述外检合格品进行电参数测量，并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品，包括：对所述外检合格品进行初测，根据初测结果得到初测合格品和初测失效品；对所述初测失效品进行复测，根据复测结果得到终检合格品和终检失效品，所述终检合格品包括所述初测合格品和复测结果中未失效的单片集成电路；所述对所述终检合格品进行可靠性特征分析，得到预测贮存寿命，包括：随机选取预定数量的各型号的所述终检合格品；对选取的终检合格品进行质量和可靠性测量；对选取的终检合格品进行破坏性物理分析，所述破坏性物理分析包括对所述终检合格品的背景材料、基本结构信息、检测项目、检测方法和程序、缺陷判据、数据记录和环境要求中的至少一种进行分析；根据所述质量和可靠性测量的结果以及所述破坏性物理分析的结果，得到所述预测贮存寿命；所述对所述终检合格品进行可靠性特征分析，得到预测贮存寿命的步骤之后还包括步骤：判断所述预测贮存寿命是否小于预定寿命值，若是，则发出报警信息。