[发明专利]一种新型晶硅电池湿法边刻工艺

摘要

一种新型晶硅电池湿法边刻工艺，步骤包括：利用HF将硅片边角的PSG层去除；HF的质量百分比浓度为2％-5％；将处理后的硅片表面用热风吹干，热风的温度50-70℃；利用HF/HNO₃的混酸对硅片进行刻边；将刻蚀后的硅片放于水槽中清洗；将清洗后的硅片放置于碱槽去多孔硅，碱采用质量百分比浓度为5％-8％的氢氧化铵；然后将经过碱处理后的硅片放置于水槽中清洗；然后利用质量百分比为2％-5％的HF或HF/HCl的混酸去PSG；HF/HCl的混酸的体积比为1:2-4；然后将去除PSG的硅片置于水槽中清洗；吹干。本发明创造性的采取先去硅片边角的PSG，其可以防止药液爬上硅片正面，杜绝刻蚀印的出现。

主权项

一种新型晶硅电池湿法边刻工艺，其特征在于，步骤包括：(1)常温下利用HF将硅片边角的PSG层去除；HF的质量百分比浓度为2％‑5％；(2)将步骤(1)处理后的硅片表面用热风吹干，热风的温度50‑70℃；(3)利用HF/HNO₃的混酸对步骤(2)干燥后的硅片进行刻边；其中HF/HNO₃的体积比为1:1‑5，刻边速度2.3‑2.7m/min；(4)将刻蚀后的硅片放于水槽中清洗；(5)将清洗后的硅片放置于碱槽去多孔硅，碱采用质量百分比浓度为5％‑8％的氢氧化铵；(6)然后将经过碱处理后的硅片放置于水槽中清洗；(7)然后利用质量百分比为2％‑5％的HF或HF/HCl的混酸去PSG；HF/HCl的混酸的体积比为1:2‑4；(8)然后将步骤(7)去除PSG的硅片置于水槽中清洗；(9)吹干。