[发明专利]高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法

摘要

本发明涉及一种高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法，其中方法包括：通过在外延层上依次生长垫氧层和第一氮化硅层，对第一氮化硅层进行光刻刻蚀，形成下沉区窗口，在下沉区窗口内通过垫氧层向外延层进行离子注入和推结，形成下沉区，并形成场氧区、阱区、漂移区、N+源区、N+漏区和P型注入区，从而避免在外延层上形成凹槽，避免P型区断面的产生，降低了高频LDMOS器件的导通电阻，提高了高频LDMOS器件的导通电阻的稳定性。

主权项

1.一种高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在外延层上依次生长垫氧层和第一氮化硅层；对所述第一氮化硅层进行光刻刻蚀，形成下沉区窗口，在所述下沉区窗口内通过所述垫氧层向所述外延层进行离子注入和推结，形成下沉区；在所述第一氮化硅层上生长第二氮化硅层；对所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层进行光刻刻蚀，形成场氧区窗口；在所述场氧区窗口内对所述垫氧层进行湿法氧化，形成场氧区；去除所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和所述垫氧层；在所述外延层上生长栅氧层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行光刻刻蚀，形成刻蚀窗口；在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻及离子注入和推结，形成阱区；在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻及离子注入，依次形成漂移区、N+源区、N+漏区和P型注入区；在所述高频LDMOS的表面生成金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成金属引线；其中，在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻及离子注入，依次形成漂移区、N+源区、N+漏区和P型注入区，包括：在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻，形成漂移区窗口，通过所述漂移区窗口对所述栅氧层进行离子注入，形成漂移区；在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻，形成N+源区窗口，通过所述N+源区窗口对所述栅氧层进行离子注入，形成N+源区；在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻，形成N+漏区窗口，通过所述N+漏区窗口对所述栅氧层进行离子注入，形成N+漏区；在所述刻蚀窗口内对所述栅氧层进行光刻，形成P型注入窗口，通过所述P型注入窗口对所述栅氧层进行离子注入，形成P型注入区。