[发明专利]一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。

主权项

一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤;步骤S1：选取一硅/二氧化硅衬底，所述的硅/二氧化硅衬底包括衬底硅以及设置于衬硅表面的二氧化硅膜；步骤S2：利用旋涂成膜工艺在所述硅/二氧化硅衬底表面制备金属膜片阵列层；步骤S3：制备有机半导体层，得到金属膜片阵列/有机半导体复合膜层，并将所述的金属膜片阵列/有机半导体复合膜层作为导电沟道；步骤S4：在步骤S3得到的覆盖有金属膜片阵列/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底上制备金属电极，得到金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；步骤S5：采用有机物封装，得到金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管；其中，所述步骤S2具体为：将硅/二氧化硅衬底采用硫酸与双氧水的混合溶液高温清洗，并采用旋涂工艺在硅/二氧化硅衬底的二氧化硅膜表面涂覆一层光刻胶，利用电子束刻蚀光刻技术将待生长金属膜片阵列处的光刻胶刻蚀去除，并通过蒸镀工艺技术在图形化的光刻胶上生长一层金属膜，接着将生长了金属膜的硅/二氧化硅衬底在丙酮溶液中超声形成金属膜片阵列，制得覆盖了金属膜片阵列层的硅/二氧化硅衬底。