[发明专利]多晶硅生产工艺及系统有效

专利信息
申请号: 201510281151.3 申请日: 2015-05-28
公开(公告)号: CN106276917B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 齐林喜;陈杰;赵亮 申请(专利权)人: 内蒙古盾安光伏科技有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 聂智
地址: 015543 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明揭示了一种多晶硅生产工艺,该工艺包括如下步骤:将原料四氯化硅加热汽化并与原料氢气按比例混合成汽化处理后气体;将汽化处理后气体注入氢化反应装置中使四氯化硅与氢气在氢化反应装置中进行冷氢化反应,生成包含有三氯氢硅的总反应生成气;将总反应生成气中的三氯氢硅冷凝分离出来;其中,所述氢化反应装置包括用于接收汽化处理后气体的第一级氢化反应器,及与第一级氢化反应器串联的次级氢化反应器,所述工艺还包括将汽化后的四氯化硅直接补充到次级氢化反应器中的步骤,该工艺有效提高了三氯氢硅的产出率。
搜索关键词: 多晶 生产工艺 系统
【主权项】:
1.一种多晶硅生产工艺,包括如下步骤:将原料四氯化硅加热汽化并与原料氢气按比例混合成汽化处理后气体;提供一氢化反应装置,该氢化反应装置包括用于接收汽化处理后气体的第一级氢化反应器,及与第一级氢化反应器串联的次级氢化反应器;将汽化处理后气体注入氢化反应装置中使四氯化硅与氢气在各氢化反应器中依次进行冷氢化反应,生成包含有三氯氢硅的总反应生成气;将总反应生成气中的三氯氢硅冷凝分离出来;其中,所述工艺还包括在冷氢化反应发生时将汽化后的四氯化硅直接补充到次级氢化反应器中。
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