[发明专利]一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510281704.5 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104851971A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 叶芸;郭太良;陈恩果;康冬茹;林连秀;汪江胜 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L41/16 | 分类号： | H01L41/16;H01L41/22 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法，该TFT包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层是由添加有压电材料的氧化物或有机物制作而成。TFT器件采用添加有压电材料的氧化物或有机物作为有源层，由于压电材料的特性，施加栅极和漏极电压时，有源层中沟道会受到机械力而形变，增加了沟道层的载流子浓度，还提高载流子移动速度，综合起来都降低器件的阈值电压。基于压电材料的TFT结构更为精密且控制简单，可以降低阈值电压，提高迁移率，改善TFT性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 材料 有源 tft 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于压电材料有源层的TFT结构，其特征在于：包括基板、栅极、绝缘层、压电材料有源层、保护层、源极和漏极，所述压电材料有源层是含有压电材料的半导体有源层。
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