[发明专利]内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510281747.3 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104966992B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 陈泳屹;秦莉;宁永强;王立军;佟存柱;单肖楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域，该激光器包括导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底；所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域；太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上；在不发光芯片区域上制作导流孔，其深度贯穿太赫兹量子级联激光器内的多个内建纳米通道，且小于太赫兹量子级联激光器芯层和衬底厚度的总和。本发明直接针对芯片进行冷却，冷却效率高，避免了衬底的热阻带来的散热困难。内建纳米通道，可以制作在衬底上，也可以制作在半导体激光器芯层内部。选用合适的工作物质，可以实现不同温度下太赫兹量子级联激光器的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 通道 冷却 量子 级联 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底；所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域；太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上；在不发光芯片区域上制作导流孔，其深度贯穿太赫兹量子级联激光器内的多个内建纳米通道，且小于太赫兹量子级联激光器芯层和衬底厚度的总和。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510281747.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种速度可调且太阳能供电的配电柜
- 下一篇：可调式插针机的插针上冲切机构
