[发明专利]晶片级芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种晶片级芯片封装结构及其制作方法。首先，在与导电焊垫相对应的位置处蚀刻出第一开口，然后，在预定切割道两侧相邻两个第一开口之间形成切除了上部的第二凸部；接着，在第二凸部上正对预定切割道的位置进行机械切割，切割出第二开口，第二开口底部进入支撑层；最后，依次铺设绝缘层、金属布线层及线路保护层。该工艺方法形成的封装结构中，支撑层与线路保护层直接相连，可将导电焊垫及介质层包覆在内，避免了液体沿介质层侧壁进入导电焊垫，进而将导电焊垫腐蚀，减少了可靠性失效的风险；提高了产品的可靠性。同时，在切割过程中，只需切割线路保护层、支撑层及衬底层，减少了切割制程中出现断刀、崩边等问题。

主权项

一种晶片级芯片封装结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，提供一晶片(100)与衬底(200)的键合片，所述晶片(100)及衬底(200)之间通过支撑层(2)和粘结层(1)进行连接，所述晶片包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；步骤二，自晶片的背面向正面延伸形成若干第一开口(3)，所述第一开口与所述晶片的导电焊垫位置相对；将预定切割道两侧的相邻两第一开口之间的晶片部分称为第一凸部(4)；步骤三，自晶片的背面向正面延伸切除部分第一凸部(4)，将剩余的晶片部分称为第二凸部(5)；步骤四，在第二凸部(5)正对预定切割道的位置处形成第二开口(6)，所述第二开口的底部进入所述支撑层；步骤五，在晶片背面上、第一开口内、第二开口内及第二凸部上铺设一层绝缘层(8)；步骤六，在第一开口底部的绝缘层上形成暴露对应的导电焊垫的第三开口(7)；步骤七，在绝缘层上及第三开口内沉积一层金属布线层(9)，将晶片内部的电性导出；步骤八，在绝缘层(8)、金属布线层(9)及第二开口内上形成一层线路保护层(10)。