[发明专利]一种双轴织构缓冲层结构有效
| 申请号： | 201510282201.X | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104992777B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张贺;蔡渊;古宏伟;谢义元;庄维伟;张少斌;桑洪波;王延凯;戴辉;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州新材料研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双轴织构缓冲层结构，包括具有光滑表面的基底，在基底上沉积一层氧化铍薄膜作为种子层和/或阻挡层，在氧化铍薄膜上沉积具有双轴织构的薄膜。本发明提供的双轴织构缓冲层结构，采用氧化铍作为种子层克服了氧化钇表面粗糙度变差的问题，提高了带材的良率，氧化铍同时作为阻挡层和种子层，简化了工艺步骤，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双轴织构 缓冲 结构 | ||
【主权项】：
一种双轴织构缓冲层结构，其特征在于：包括具有光滑表面的多晶或非晶基底，在基底上沉积一层多晶或非晶的氧化铍薄膜作为种子层或同时作为种子层和阻挡层，在所述的氧化铍薄膜上用离子束辅助沉积法沉积具有双轴织构的薄膜。
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