[发明专利]发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构有效

专利信息
申请号: 201510282265.X 申请日: 2015-05-28
公开(公告)号: CN105185882B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 陈俊玮;李仁智;潘锡明 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 代理人: 杨林洁
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明揭示了一种半导体发光元件及其发光装置,半导体发光元件包含透光基板、发光二极体结构与光学单元,该透光基板具有相对设置的支撑面及第二主表面;该发光二极体结构设置在该支撑面,且与未和发光二极体结构重叠的至少部分支撑面形成可出光的第一主表面;该光学单元设置在该第一主表面,并包含覆盖边及对应的光发散边,其中该覆盖边面向该透光基板;该光学单元还包含至少一光学结构,设置在该光发散边,以根据光线的波长将该覆盖边所接收光线的至少一部分发散到不同方向。本发明的半导体发光元件可以达到多向性出光、混光与色散的发光效果。
搜索关键词: 发光二极管 芯片 发光 装置 晶圆级 结构
【主权项】:
一种发光装置,其特征在于,包括:发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括,发光二极管结构层,具有第一面以及相对于所述第一面的第二面;两个电极,配置于所述第一面上;以及成长基底,包括面向所述发光二极管结构层的第三面、相对于所述第三面的第四面、以及连接在所述第三面与所述第四面之间的侧面,其中,所述成长基底为可透光且设置于所述发光二极管结构层的所述第二面上,所述第四面的面积大于所述第三面的面积,且从所述第三面至所述第四面的方向上,所述成长基底的所述侧面的至少一部分为倾斜或弧状;以及封装物,所述封装物覆盖所述成长基底的所述第四面,并暴露两个所述电极;其中,所述发光装置没有引线架。
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