[发明专利]用于由半导体材料制造晶体的装置和方法有效
| 申请号： | 201510282587.4 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105274618B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | G·布伦宁格;G·拉明 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/18 | 分类号： | C30B15/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于由半导体材料制造晶体的装置和方法。该装置包括一坩埚和一感应加热线圈，所述坩埚具有坩埚底和坩埚壁，其中，所述坩埚底具有上侧和下侧和多个贯通开口，所述多个贯通开口布置在所述坩埚壁和坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上侧和所述下侧上有拱曲部，所述感应加热线圈布置在所述坩埚下面并设置用于使半导体材料熔融和使半导体材料构成的熔液稳定，该熔液覆盖半导体材料构成的正在生长的晶体。方法包括在坩埚底的上侧上产生半导体材料构成的储备量的散装部并在使用感应加热线圈的情况下熔融散装部的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体材料 制造 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
用于由半导体材料制造晶体的装置，其包括一坩埚和一感应加热线圈，所述坩埚具有坩埚底和坩埚壁，其中，所述坩埚底具有上侧和下侧和多个贯通开口，所述多个贯通开口布置在所述坩埚壁和所述坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上侧和所述下侧上有拱曲部，所述感应加热线圈布置在所述坩埚下面并设置用于使半导体材料熔融和使半导体材料构成的熔液稳定，所述熔液覆盖由半导体材料构成的正在生长的晶体。
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