[发明专利]电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法在审
| 申请号： | 201510284056.9 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106292171A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 廖金阅;刘家麟;戴延樘;吕宏哲 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;G02F1/1333;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，得到平坦的绝缘覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 阵列 绝缘 覆盖层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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