[发明专利]齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管有效
| 申请号： | 201510284694.0 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106169423B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/866 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管，其中，制备方法包括：在衬底上形成第一阱区、第二阱区和齐纳阱区后，在所述第一阱区和所述第二阱区的两个公共区域以及所述第二阱区和所述齐纳阱区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳阱区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。通过本发明的技术方案，确保了齐纳二极管的源区尺寸和位置布局的准确性，避免了套刻偏差造成的电学特性误差，进而影响用户的使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一阱区、第二阱区和齐纳阱区后，在所述第一阱区和所述第二阱区的两个公共区域以及所述第二阱区和所述齐纳阱区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳阱区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510284694.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热处理装置及热处理方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
