[发明专利]模拟开关电路结构在审

专利信息
申请号: 201510284700.2 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN104883172A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 周玲 申请(专利权)人: 周玲
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏省南京市雨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请涉及一种模拟开关电路结构,包括反相器电路模块、通道对管电路模块和断点保护电路模块,反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)连接,通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间,通道对管电路包括第三PMOS场效应管(P3),反相器电路模块的输出端与第三PMOS场效应管(P3)的栅极连接,第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过断点保护电路模块与电源(VDD)或信号输入端(IN)连接。采用该种结构的模拟开关电路结构,避免了输入信号通过场效应管源极和衬底间的寄生二极管漏电到VDD,实现了电源断电情况下的模拟开关的正常关断,有效防止了输入端到电源的漏电流,结构简单实用,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。
搜索关键词: 模拟 开关电路 结构
【主权项】:
一种模拟开关电路结构,包括反相器电路模块和通道对管电路模块,所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接,所述的通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间,其特征在于,所述的电路结构还包括断点保护电路模块,所述的通道对管电路中包括第三PMOS场效应管(P3),所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接,且该第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源(VDD)或者信号输入端(IN)相连接。
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