[发明专利]一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法

摘要

一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法，该外延结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、N‑GaN层、紫外光波长的多量子阱层、非掺高低温GaN层、蓝光波长的多量子阱层及P‑GaN层；其制备方法，包括以下步骤（1）在MOCVD设备中，在衬底上生长GaN缓冲层，（2）在GaN缓冲层上生长N‑GaN层，（3）在N‑GaN层上生长紫外光波长的多量子阱层，（4）首先生长非掺低温GaN层，随后生长非掺高温GaN层，（5）在非掺GaN层上生长蓝光波长的多量子阱层，（6）在蓝光波长的多量子阱层上生长P‑GaN层。本发明直接外延出完整的白光LED结构，有效的简化了工艺，提高了白光LED的光转换效率，降低了工艺成本，同时也大大提高了GaN基LED的发光效率。

主权项

一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构，其特征是，包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、N‑GaN层、紫外光波长的多量子阱层、非掺高低温GaN层、蓝光波长的多量子阱层及P‑GaN层；所述紫外光波长的多量子阱层是厚度为2.5‑5nm的InxGa1‑xN阱层和厚度为8‑10nm的AlxGa1‑xN垒层周期性交替叠加构成，周期为5‑15，In的占比为10%‑20%，Al的占比为2%‑8%；所述蓝光波长的多量子阱层是厚度为2.5‑5nm的InxGa1‑xN阱层和厚度为8‑15nm的GaN垒层周期性交替叠加构成，周期为5‑15，In的占比为10%‑20%。