[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括图案化多层堆栈结构、半导体覆盖层、存储材料层以及通道层。图案化多层堆栈结构位于基材上，具有至少一条沟道，以定义出多个脊状多层叠层，其中每一个脊状多层叠层至少包括一导电条带。半导体覆盖层覆盖于这些脊状多层叠层上。存储材料层覆盖于沟道的侧壁上。通道层覆盖于存储材料层、半导体覆盖层以及沟道的底部上，且与半导体覆盖层直接接触。

主权项

1.一种存储器元件，包括：一图案化多层堆栈结构位于一基材上，具有至少一沟道，以定义出多个脊状多层叠层，其中每一这些脊状多层叠层至少包括一导电条带；一半导体覆盖层，覆盖于这些脊状多层叠层上；一存储材料层覆盖于该沟道的一侧壁上；以及一通道层覆盖于该存储材料层、该半导体覆盖层以及该沟道的一底部上，且与该半导体覆盖层直接接触。