[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在基底上形成第一材料层。在第一材料层上形成第二材料层。在第二材料层上形成掩膜层。以掩膜层为掩膜，进行第一蚀刻工艺，移除部分第二材料层，裸露出第一材料层，并形成第一图案层及第二图案层。以掩膜层为掩膜，进行第二蚀刻工艺，移除部分第一材料层，以裸露出部分基底。以掩膜层为掩膜，进行第三蚀刻工艺，以移除部分基底，并在基底中形成第一沟道及第二沟道。第一沟道位于第一图案层两侧，第二沟道位于第二图案层两侧。第二沟道的侧壁与基底的表面间有两个以上互不同的夹角。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：在一基底上形成一第一材料层，该基底包括一第一区块以及一第二区块，该第二区块位于该第一区块的周边；在该第一材料层上形成一第二材料层；在该第二材料层上形成一掩膜层；以该掩膜层为掩膜，进行一第一蚀刻工艺，移除部分该第二材料层，以裸露出该第一材料层，并在该第一区块形成一第一图案层以及在该第二区块形成一第二图案层；以该掩膜层为掩膜，进行一第二蚀刻工艺，移除部分该第一材料层，以裸露出部分该基底；以及以该掩膜层为掩膜，进行一第三蚀刻工艺，以移除部分该基底，并在该基底中形成多个第一沟道以及多个第二沟道，这些第一沟道位于该第一区块的该第一图案层两侧的该基底中，这些第二沟道位于该第二区块的该第二图案层两侧的该基底中，其中这些第二沟道的侧壁与该基底的表面之间至少具有两个以上互不相同的夹角。