[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基板、一底部绝缘层、二叠层结构、一电荷捕捉结构以及一通道层。底部绝缘层设置于基板上。叠层结构设置于底部绝缘层上。叠层结构包括多个半导体层与绝缘层、一顶部绝缘层及一高掺杂半导体层。半导体层与绝缘层交替叠层于底部绝缘层上。顶部绝缘层设置于半导体层与绝缘层上。高掺杂半导体层设置于顶部绝缘层上。电荷捕捉结构设置于各叠层结构的一侧表面及底部绝缘层的一上表面上。通道层设置于电荷捕捉结构上，并直接接触高掺杂半导体层。

主权项

1.一种半导体装置，包括：一基板；一底部绝缘层，设置于该基板上；二叠层结构，设置于该底部绝缘层上，各该叠层结构包括：多个半导体层与绝缘层，交替叠层于该底部绝缘层上；一顶部绝缘层，设置于这些半导体层与这些绝缘层上；及一高掺杂半导体层，设置于该顶部绝缘层上；一电荷捕捉结构，设置于各该叠层结构的一侧表面及该底部绝缘层的一上表面上；以及一通道层，设置于该电荷捕捉结构上，并直接接触该高掺杂半导体层，该高掺杂半导体层的厚度大于该通道层的厚度。