[发明专利]数据存储装置及使用不可用页表或不可用块表的读写方法

摘要

本发明提供一种数据存储装置，包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM，NAND芯片、MRAM分别与主控芯片连接，MRAM包括写缓存或读写缓存，MRAM还包括擦除次数表与不可用页表，擦除次数表用于存储NAND芯片中每个块的擦除次数，不可用页表包括NAND芯片中出厂时的坏块中的页、后续读写使用过程中出现的坏块中的页以及它们的替换页。本发明提供的数据存储装置及使用不可用页表/不可用块表的读写方法，MRAM包括写缓存或读写缓存，既保证读写性能，又减少擦除NAND的次数，延长数据存储装置的寿命；维护每个块的擦除次数表与不可用页表/不可用块表，不再采用异地写入的NAND管理技术，无需保存占用大量空间的逻辑地址与物理地址对照表，不仅节省了存储空间，而且无需复杂的处理，进一步提高了读写性能。

主权项

1.一种数据存储装置的使用不可用页表的写方法，其特征在于，包括数据存储装置，数据存储装置包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM，所述NAND芯片、所述MRAM分别与所述主控芯片连接，所述MRAM包括写缓存或读写缓存，所述MRAM还包括擦除次数表与不可用页表，擦除次数表用于存储所述NAND芯片中每个块的擦除次数，所述不可用页表包括所述NAND芯片中出厂时的坏块中的页、后续读写使用过程中出现的坏块中的页以及它们的替换页；所述的数据存储装置的使用不可用页表的写方法包括以下步骤：(1)收到写NAND页指令；(2)所述NAND页是否在写缓存或读写缓存中，如果在所述写缓存或所述读写缓存中，执行步骤(5)；如果不在所述写缓存或所述读写缓存中，执行步骤(3)；(3)从缓存中选择一个空闲页，写入所述NAND页的内容；(4)如果所述写缓存或所述读写缓存的空闲页少于第一警戒值，清理所述写缓存或所述读写缓存；(5)将写NAND页指令中的数据写入在写缓存或读写缓存的相应页中。