[发明专利]半导体装置与其的制造方法在审
| 申请号： | 201510288705.2 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105280695A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、P型掺杂层、栅极、第一保护层以及场板。有源层置于基板上。源极与漏极置于有源层上。P型掺杂层置于有源层上且置于源极与漏极之间。P型掺杂层具有第一厚度。栅极置于P型掺杂层上。第一保护层至少覆盖栅极与有源层。场板置于第一保护层上且电性连接至源极。场板包含场分散部，置于栅极与漏极之间。第一保护层于场分散部与有源层之间具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基板；一有源层，置于该基板上；一源极与一漏极，置于该有源层上；一P型掺杂层，置于该有源层上且置于该源极与该漏极之间，其中该P型掺杂层具有一第一厚度；一栅极，置于该P型掺杂层上；一第一保护层，至少覆盖该栅极与该有源层；以及一场板，置于该第一保护层上且电性连接至该源极，其中该场板包含一场分散部，置于该栅极与该漏极之间，且该第一保护层于该场分散部与该有源层之间具有一第二厚度；其中该第二厚度小于该第一厚度。
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