[发明专利]二次电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510289445.0 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN105140424B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 梅山浩哉;高松宽史;播磨幸男;平川靖 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01M2/02 分类号: H01M2/02;H01M2/04;H01M10/04;B23K26/21
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本二次电池,是向具有开口的电池壳体(2)的开口插入电池盖(1),并向电池壳体(2)与电池盖(1)的对接部照射激光进行对接焊,使电池盖(1)固定于电池壳体(2)的二次电池,在将形成于电池盖(1)的电池盖侧焊接痕的从电池盖(1)的表面到电池盖侧焊接痕的下端的距离设为电池盖侧焊接深度,并将形成于电池壳体(2)的电池壳体侧焊接痕的从电池盖(1)的表面到电池壳体侧焊接痕的下端的距离设为电池壳体侧焊接深度的情况下,电池盖侧焊接深度比电池壳体侧焊接深度深。
搜索关键词: 电池盖 电池壳体 焊接痕 焊接 二次电池 开口 对接部 对接焊 激光 照射 制造
【主权项】:
1.一种二次电池,是向具有开口的电池壳体(2)的所述开口插入电池盖(1),并向所述电池壳体(2)与所述电池盖(1)的对接部照射激光进行对接焊,使所述电池盖(1)固定于所述电池壳体(2)而得到的二次电池,在将形成于所述电池盖(1)的电池盖侧焊接痕(WR1)的从所述电池盖(1)的表面(S)到所述电池盖侧焊接痕(WR1)的下端(I)的距离设为电池盖侧焊接深度(D1),并将形成于所述电池壳体(2)的电池壳体侧焊接痕(WR2)的从所述电池盖(1)的表面(S)到所述电池壳体侧焊接痕(WR2)的下端(II)的距离设为电池壳体侧焊接深度(D2)的情况下,所述电池盖侧焊接深度(D1)比所述电池壳体侧焊接深度(D2)深,所述电池壳体侧焊接深度(D2)与所述电池盖侧焊接深度(D1)的比率,即[所述电池壳体侧焊接深度(D2)/所述电池盖侧焊接深度(D1)]×100%的值为65%~85%。
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