[发明专利]一种差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510290080.3 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105067178B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 郑国光 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平,王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法，敏感结构层包括公共敏感部以及位于公共敏感部边缘的公共支撑部，且公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度；包括相对于敏感结构层上下对称的用于与公共敏感部形成差分电容的上固定电极结构层、下固定电极结构层。本发明的MEMS压力传感器，通过差分电容结构，增强了芯片对共模信号的抑制，提高了输出信号的信噪比；同时，本发明公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度，这就使得外围的公共支撑部可以屏蔽温度和应力所引起的应变，从而大大降低了由于温度和应力变化所传递到公共敏感部上的应变，提高了芯片的温度稳定性和应力稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 种差 电容 mems 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，包括：敏感结构层(2)，包括位于中部的公共敏感部(22)，以及位于公共敏感部(22)边缘的公共支撑部(20)，所述公共敏感部(22)连接在公共支撑部(20)的侧壁上，且公共支撑部(20)的厚度大于公共敏感部(22)的厚度，使得敏感结构层(2)的截面整体呈哑铃型；上固定电极结构层(3)，包括悬置在公共敏感部(22)上方、并与公共敏感部(22)组成电容结构的上固定电极(32)，所述上固定电极(32)上设置有腐蚀孔(33)；下固定电极结构层(4)，与上固定电极结构层(3)结构一致，二者沿着敏感结构层(2)上下对称，所述下固定电极结构层(4)包括悬置在公共敏感部(22)下方、并与公共敏感部(22)组成电容结构的下固定电极(42)；所述下固定电极(42)上设置有腐蚀孔(43)；用于支撑的衬底(1)，所述衬底(1)与公共敏感部(22)之间形成了真空腔(7)。
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