[发明专利]准差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510290391.X | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104848982B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 郑国光 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平,王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法，前者包括第一下电极(3a)和第二下电极(3b)，及对应支撑在第一下电极(3a)上方和第二下电极(3b)上方的第一上电极(4a)和第二上电极(4b)；第一上电极(4a)为压力敏感膜，且第一上电极(4a)与第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a)，以使第一上电极(4a)与第一下电极(3a)构成气压敏感型电容器；第二上电极(4b)与第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器。本发明压力传感器利用基准电容器可以至少部分地滤除气压敏感型电容器的输出信号中的共模干扰信号，进而提高气压敏感型电容器的输出信号的稳定性及分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 准差分 电容 mems 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，包括衬底(1)，形成于所述衬底(1)上的绝缘层(2)，均形成于所述绝缘层(2)上的第一下电极(3a)和第二下电极(3b)，及支撑在所述第一下电极(3a)上方的第一上电极(4a)和支撑在所述第二下电极(3b)上方的第二上电极(4b)；所述第一上电极(4a)为压力敏感膜，且所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a)，以使所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)构成气压敏感型电容器；所述第二上电极(4b)与所述第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器；所述第二上电极(4b)也为压力敏感膜，所述基准电容器还包括用于限制所述第二上电极(4b)在外界气压作用下发生变形的限位结构；所述基准电容器设置有用于支撑所述第二上电极(4b)的支撑柱(13)，以形成所述限位结构；其中，所述支撑柱(13)设置在所述第二下电极(3b)上，且向上延伸至所述第二上电极(4b)的位置；或者，所述支撑柱(13)设置在所述绝缘层(2)上，且穿过所述第二下电极(3b)设置的通孔向上延伸至所述第二上电极(4b)的位置。
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