[发明专利]平面型VDMOS的制造方法在审
| 申请号： | 201510290677.8 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298525A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种平面型VDMOS的制造方法。该方法包括：在硅基底上生长栅氧化层；在栅氧化层上沉积N型多晶硅层；在N型多晶硅层上沉积氮化硅层；去除栅氧化层上方左右两端的N型多晶硅层和氮化硅层；在硅基底中形成平面型VDMOS的体区和源区；在左右两端的栅氧化层的上表面，N型多晶硅层的侧面，氮化硅层的上表面及侧面沉积二氧化硅层；将P型离子从二氧化硅层上注入直至体区中。该方法在氮化硅层的阻挡下有效防止了进行P型离子注入时，P型离子达到N型多晶硅层。在改善平面型VDMOS的UIS性能的同时，保证了平面型VDMOS的阈值电压，进而提高了平面型VDMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在硅基底上生长栅氧化层；在所述栅氧化层上沉积N型多晶硅层；在所述N型多晶硅层上沉积氮化硅层；去除所述栅氧化层上方左右两端的N型多晶硅层和氮化硅层；在所述硅基底中形成所述平面型VDMOS的体区和源区；在所述左右两端的栅氧化层的上表面，所述N型多晶硅层的侧面，所述氮化硅层的上表面及侧面沉积二氧化硅层；将P型离子从所述二氧化硅层上注入直至体区中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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