[发明专利]一种Nd掺杂氟化锶钙晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201510290936.7 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104862779A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 苏良碧;张倩;姜大朋;唐飞;王静雅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Nd掺杂氟化锶钙晶体及其制备方法，所述Nd掺杂氟化锶钙晶体为Nd离子掺杂的Ca1-xSrxF2晶体，其中，0<x<1，Nd3+的掺杂浓度为0.08at.％-2.0at.％。本发明具体地涉及到一种钕离子掺杂的Ca1-xSrxF2(0<x<1)激光晶体，属于激光晶体材料领域。本发明是在Ca1-xSrxF2(0<x<1)混晶中掺入Nd3+，通过改变x的数值，实现Nd离子近红外1μm波段发光波长的调控，波长调控范围是1050~1063nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nd 掺杂 氟化 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光波长可调控的Nd掺杂氟化锶钙晶体，其特征在于，所述Nd掺杂氟化锶钙晶体为Nd离子掺杂的Ca1‑xSrxF2晶体，其中，0<x<1，Nd3+的掺杂浓度为0.08at.％‑2.0at.％。
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