[发明专利]蚀刻工艺中减少的钛底切在审
| 申请号： | 201510291027.5 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304503A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 大卫·P·苏尔杜克;马文·L·伯恩特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本公开内容的一个实施方式，一种形成金属特征的方法包括：使用第一蚀刻化学品蚀刻第一金属层的一部分，和使用第二蚀刻化学品蚀刻阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于阻挡层厚度的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 工艺 减少 钛底切 | ||
【主权项】：
一种形成金属特征的方法，所述方法包括：(a)提供微特征工件，所述微特征工件包括：基板；连续含钛阻挡层，布置在所述基板上；连续第一金属层，布置在具有厚度的所述阻挡层上；和电介质层，在所述第一金属层上被图案化以提供界定侧壁表面和底表面的凹槽，其中所述凹槽的所述底表面是金属表面，且所述凹槽的所述侧壁表面是电介质表面；(b)在所述第一金属层的暴露顶表面上的所述凹槽之内沉积第二金属层；(c)去除所述电介质层以提供暴露特征；(d)使用第一蚀刻化学品蚀刻所述第一金属层的一部分；和(e)使用第二蚀刻化学品蚀刻所述阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于所述阻挡层的所述厚度的两倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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