[发明专利]用于单晶硅棒生产的掺杂工艺

摘要

本发明公开了一种用于单晶硅棒生产的掺杂工艺，包括准备原料、首次装料、第二次装料、加热熔化等操作步骤，通过改变硼族元素合金的掺加方法和掺加时间，控制和缩短了单晶硅棒头部和尾部之间的差距，缩小了单晶硅棒电阻率的差额区间，增加了单晶硅棒优质段的长度，提高了单晶硅棒的产量。

主权项

用于单晶硅棒生产的掺杂工艺，其特征在于包括以下步骤：A、准备原料：称取总原料和硼族元素合金，总原料包括晶体下脚料和多晶料，其中晶体下脚料：多晶料的重量比为2:3‑1:1，将总原料分为两份，其中第一份原料为全部的晶体下脚料和50‑60％的多晶料，第二份原料为剩余的40‑50％的多晶料；B、首次装料：将第一份原料全部装入石英埚内，之后将石英埚放入单晶炉的主炉室内，关闭主炉室；C、第二次装料：把第二份原料加入加料筒中，当装入第二份原料重量的三分之二到四分之三之间时，把硼族元素合金慢慢加入加料筒中，之后将剩余的第二份原料全部装入加料筒后，将加料筒吊装至单晶炉的副室；D、加热熔化：单晶炉合炉抽空，当单晶炉内真空度达到10Pa以下后开始加热升温，当石英埚内的第一份原料全部熔化成为熔体硅后把加料筒移动到熔体硅液面上方，将加料筒中的第二份原料和硼族元素合金全部加至石英埚内；E、待石英埚中的总原料和硼族元素合金全部熔化完成后，调整加热温度至引颈温度，调整埚位至引颈所需埚位，提高埚转速度，取出加料筒并安装籽晶，进行后续的拉晶生产。