[发明专利]半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。

主权项

1.一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基底；在该基底上形成一栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构从靠近该基底的一侧开始依序包含浮动栅、栅极间介电层、控制栅、以及金属层；在该基底与该栅极堆叠结构上共形地形成一衬层；在该衬层上形成一掩模层，其中该掩模层的顶面低于该栅极堆叠结构的该金属层，使得部分的该衬层裸露而出；以及进行一氮化步骤，将裸露出的该衬层转化成一氮化衬层，使得该栅极堆叠结构中至少包含该金属层的部分会为该氮化衬层所覆盖。