[发明专利]准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法

摘要

一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，采用两次干法刻蚀，第一干法刻蚀，同时在用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的有源区第一区域，与用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管体区电极的有源区第二区域形成某一深度的凹槽，第二区域的凹槽深度满足体区电极的需求；接着保护第二区域的凹槽，对第一区域的凹槽进一步进行第二干法刻蚀以加大该凹槽深度，满足场效应晶体管源漏重掺杂区所需的掺杂多晶硅填入量。上述制作方法，兼容了场效应晶体管与体区电极的制作，减少了工艺步骤。

主权项

1.一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有若干有源区，所述有源区包括：用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的第一区域，与用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极的第二区域，所述第一区域与第二区域采用浅沟槽隔离结构隔开；在所述第一区域上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的第一区域内形成轻掺杂区以及在所述栅极结构侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，对所述第一区域与第二区域进行第一干法刻蚀，保留所述侧墙下的轻掺杂区并至少去除其它区域的轻掺杂区以形成凹槽；在所述凹槽内、浅沟槽隔离结构表面、侧墙以及栅极结构顶表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层遮盖所述第二区域，回蚀所述第一区域的硬掩膜层以仅保留侧墙上的硬掩膜层以及侧墙下的轻掺杂区侧壁上的硬掩膜层；以所述第二区域上的硬掩膜层以及第一区域保留的硬掩膜层为掩膜，对所述第一区域进行第二干法刻蚀，以加大第一区域凹槽的深度；在所述第一区域的凹槽表面形成氧化层；去除所述第一区域与第二区域的硬掩膜层，在所述第一区域与第二区域上沉积多晶硅，回蚀所述多晶硅，第一区域保留的多晶硅用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的源漏重掺杂区，第二区域保留的多晶硅至少部分用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极；去除浅沟槽隔离结构顶部的部分多晶硅，至少使得第一区域与第二区域所保留的的多晶硅绝缘；分别对所述第一区域的多晶硅与第二区域的至少部分多晶硅进行离子注入重掺杂以对应形成场效应晶体管的源漏重掺杂区与体区电极。