[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底，形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁；在栅极结构两侧的鳍部形成源极材料层和漏极材料层；在衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成介质层；在介质层内形成底部露出源极材料层的源极通孔和底部露出漏极材料层的漏极通孔；在源极通孔底部的源极材料层上形成源极金属硅化物层；在漏极通孔底部的漏极材料层上形成漏极金属硅化物层；在源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层上形成金属层，金属层的功函数小于源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层的功函数；对金属层进行退火处理；之后，将所述金属层去除。采用本发明的方法能够提高晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的顶部和侧壁；在所述栅极结构两侧的鳍部形成源极材料层和漏极材料层；在所述半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成介质层；在所述介质层内形成底部露出所述源极材料层的源极通孔和底部露出所述漏极材料层的漏极通孔；在所述源极通孔底部的所述源极材料层上形成源极金属硅化物层；在所述漏极通孔底部的所述漏极材料层上形成漏极金属硅化物层；在所述源极金属硅化物层和所述漏极金属硅化物层上形成金属层，所述金属层的功函数小于所述源极金属硅化物层和所述漏极金属硅化物层的功函数；对所述金属层进行退火处理；将所述退火处理后的所述金属层去除。