[发明专利]一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构在审
| 申请号： | 201510292887.0 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106299061A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓龙;徐晓丽;胥真奇;赖志豪;曾颀尧;林政志 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层、P型GaN层和P‑InGaN层。其结构特点是，所述N型GaN层和有源区之间置有电流扩展层，电流扩展层包括掺杂Si的AlxGa1‑xN层和InGaN层。AlxGa1‑xN层和InGaN层交替生长且交替生长周期为3‑6个周期。本发明是通过在现有外延结构中插入电流扩展层，以提高电子注入均匀性、阻挡底层位错缺陷的延伸，从而提高辐射复合几率，达到增强LED内量子效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 扩展 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（6）、电子阻挡层（7）、P型GaN层（8）和P‑InGaN层（9），其特征在于：所述N型GaN层（4）和有源区（6）之间置有电流扩展层（5），电流扩展层（5）包括掺杂Si的AlxGa1‑xN层（51）和InGaN层（52），AlxGa1‑xN层（51）和InGaN层（52）交替生长且交替生长周期为3‑6个周期。
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