[发明专利]半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510293006.7 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106298921B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部，所述绝缘层的材料为掺氮的氧化硅。所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能；此外以掺氮的氧化硅为所述绝缘层材料，可有效提高绝缘层的散热功效，从而提高鳍式场效应晶体管的散热功效，进而提高鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底形成凸起于所述半导体衬底表面的鳍部；形成覆盖所述鳍部侧壁的掩模层；以所述掩模层为掩模刻蚀半导体衬底形成绝缘层凹槽；通过氧化工艺氧化所述绝缘层凹槽侧壁，在所述鳍部下方形成氧化硅层；通过氮掺杂工艺向所述氧化硅层内掺杂氮，形成第一掺氮的氧化硅层；在所述绝缘层凹槽内填充掺氮的氧化硅，形成第二掺氮的氧化硅层，且所述第二掺氮的氧化硅层和所述第一掺氮的氧化硅层形成绝缘层。
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