[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201510293007.1 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN104952933A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，可以降低薄膜晶体管的漏电流，降低显示器的功耗。其中，薄膜晶体管，包括：基板、形成在基板上的栅极、源极和漏极、半导体层、以及位于栅极和半导体层之间的栅极绝缘层，半导体层和源极、漏极在基板上的投影中：半导体层的投影位于源极的投影和漏极的投影之间的部分包括：与栅极对应设置的受栅极控制区域和与受栅极控制区域连接的至少一个不受栅极控制区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极和漏极、半导体层、以及位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述半导体层和所述源极、漏极在所述基板上的投影中：所述半导体层的投影位于所述源极的投影和漏极的投影之间的部分包括：与所述栅极对应设置的受栅极控制区域和与所述受栅极控制区域连接的至少一个不受栅极控制区域。
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