[发明专利]半导体装置和电子设备在审
| 申请号： | 201510293629.4 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105280625A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 秋山悟;小林宏嘉;猪股久雄;齐藤正 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/808;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置和电子设备，其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，具有由带隙大于硅的半导体构成的第一衬底，所述第一半导体芯片被形成有第一结FET，所述第一结FET具有第一栅极电极、第一源极和第一漏极；第二半导体芯片，具有由带隙大于硅的半导体构成的第二衬底，所述第二半导体芯片被形成有第二结FET，所述第二结FET具有第二栅极电极、第二源极和第二漏极；以及第三半导体芯片，具有由硅构成的第三衬底，所述第三半导体芯片被形成有MOSFET，所述MOSFET具有第三栅极电极、第三源极和第三漏极；所述第一结FET的第一源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合，所述第二结FET的第二源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合，所述第一结FET的第一栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合；以及所述第二结FET的第二栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合。
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