[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510294056.7 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN104992968B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;程武;古云飞;李震洋;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/36 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中，J1所在的支路首先导通，电子注入到N‑漂移区4，促使阳极P区向漂移区注入空穴，空穴经外延P‑body区到达阴极。随着J2电流的增大，Rp两端的压降增大，使得达林顿管开启。在导通状态下，N型CS层5与P型外延区PN结的高空穴密度降低了导通电阻，关断时更容易抽取N‑漂移区4的空穴，从而降低了关断时间和关断损耗。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管及其制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括从下往上依次设置的金属化集电极(1)、P型集电极区(2)、N型缓冲层(3)、N‑漂移区(4)、N型CS层(5)和P‑body区(8)；所述P‑body区(8)上表面具有金属化发射极(11)；所述器件还具有槽栅结构，所述槽栅结构由栅氧化层(6)、多晶硅栅(7)和金属化栅电极(10)组成，所述多晶硅栅(7)位于栅氧化层(6)中，所述栅氧化层(6)沿器件垂直方向穿过P‑body区(8)和N型CS层(5)后与N‑漂移区(4)连接，所述金属化栅电极(10)位于多晶硅栅(7)上表面；所述P‑body区(8)上层具有发射极N+区(12)，所述发射极N+区(12)与栅氧化层(6)的侧面连接；其特征在于，所述P‑body区中具有N型重掺杂层(9)，所述N型重掺杂层(9)一侧与栅氧化层(6)连接另一侧与栅氧化层(6)保持一定间隙。
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