[发明专利]化学气相沉积装置及其沉积方法有效
申请号: | 201510294433.7 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN106282969B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 幸沛锦;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积反应装置,包括:反应室,内部设置基片托盘及旋转轴,基片托盘用以支撑若干基片,进气装置,位于所述基片承载装置上方,用于提供流向基片表面的反应气体,所述进气装置与所述基片承载装置之间形成一反应区域;所述基片承载装置中心区域设置中央排气系统;环绕所述基片承载装置设置环形边缘排气系统;所述每片基片表面的反应气体及副反应气体同时经中央排气系统和边缘排气系统排出反应室外。本发明可以有效调节基片表面的薄膜沉积良率和均匀性。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积反应装置,其特征在于,包括:反应室,内部设置支撑若干基片的基片托盘、支撑并带动所述基片托盘旋转的旋转轴,所述基片托盘的中心区域设置至少一贯通所述基片托盘的上下表面的开口;进气装置,位于所述基片托盘上方,用于提供流向基片表面的反应气体,所述进气装置与所述基片托盘之间形成一反应区域;所述反应室内部的中心区域设置一中央排气系统,所述中央排气系统位于所述基片托盘的开口下方,并与所述开口流体联通;环绕所述基片托盘及旋转轴外围设置一边缘排气系统;其中,经过所述基片表面的反应气体及副反应气体同时经由所述中央排气系统和所述边缘排气系统排出反应室外;所述中央排气系统包括中央排气通道及与所述中央排气通道连接的排气装置,所述中央排气通道包括至少一个限流装置,所述限流装置上设置若干限制气体流动的限流通道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的